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InGaAs APD光電探測器

更新時(shí)間：2023-08-17

簡要描述：

InGaAs APD光電探測器產(chǎn)品有3個系列：Deschutes FSI™, Deschutes BSI™, and Siletz™ series。Deschutes FSI™是前照式，而Deschutes BSI™和 Siletz™系列為背照式。FSI 和BSI 的區(qū)別主要是FSI系列產(chǎn)品吸收低于950nm以下波長，如果應(yīng)用在950nm以上那么BSI系列APD產(chǎn)品提供更高的響應(yīng)率。

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產(chǎn)品介紹：

InGaAs APD光電探測器產(chǎn)品有3個系列：Deschutes FSI™, Deschutes BSI™, and Siletz™ series。
Deschutes FSI™是前照式，而Deschutes BSI™和 Siletz™系列為背照式。FSI 和BSI 的區(qū)別主要是FSI系列產(chǎn)品吸收低于950nm以下波長，如果應(yīng)用在950nm以上那么BSI系列APD產(chǎn)品提供更高的響應(yīng)率。

InGaAs APD光電探測器3個APD區(qū)別：

FSI™

BSI™

Siletz™

Spectral Range

Min suggested

Typical range

Max suggested

<800 nm

800-1550nm

1750nm

900nm

1064-1550nm

1700nm

950nm

1064-1550nm

1700nm

Operating Gain,

Ｍ

Min

Typical range

Max

5-20

5-40

Responsivity atＭ＝１０，（Ａ/Ｗ）

@1550nm

@1064nm

7.2

6.8

10.1

7.3

10.1

7.3

Excess Noise

Factor,

F(M,k)

K_effective (1)

M=10

M=15

M=20

M=50

M=1000

~0.2

3.4

4.3

5.2

~0.2

3.4

4.3

5.2

~0.02

2.0

2.2

2.3

Dark Current at

M=1 of 75-um

APD, [nA]

0.56⁽²⁾

1.9⁽²⁾

23.4⁽²⁾

Capacitance of 75-μm APD

[fF]

450

540

350

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